Справочник MOSFET. SWI055R03VT

 

SWI055R03VT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWI055R03VT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 327 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SWI055R03VT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI055R03VT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:659K  samwin
 swd055r03vt swi055r03vt.pdf pdf_icon

SWI055R03VT

SW055R03VTN-channel Enhanced mode TO-252/TO-251 MOSFETFeaturesBVDSS : 30VTO-252 TO-251 High ruggednessID : 80A Low RDS(ON) (Typ 6.2m)@VGS=4.5VRDS(ON) : 6.2m@VGS=4.5V(Typ 4.4m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 25nC)4.4m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1122 100% Avalanche Tested 233 Application:DC-DC Converter,Motor ControlS

 9.1. Size:614K  samwin
 swi051r08es swd051r08es.pdf pdf_icon

SWI055R03VT

SW051R08ES N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFET Features BVDSS : 80V TO-251 TO-252 ID : 90A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 5.6m)@VGS=10V RDS(ON) : 5.6m Low Gate Charge (Typ 44nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 Application:Synchronous Rectification, 2 3 3 1 Li Battery Protect Board, Inv

Другие MOSFET... SWHA40N06V , SWHA50P03 , SWHA60N04V , SWHA7N65M , SWHA80N06V1 , SWHA80N08V1 , SWHC13N65K2 , SWI051R08ES , 2N7002 , SWI069R06VT , SWI075R06ET , SWI085R06VS , SWI100R10VT , SWI110R06VT , SWI120R45VT , SWI130R06VT , SWI13N60K2 .

History: HY1506P | BLV730

 

 
Back to Top

 


 
.