SWI069R06VT Todos los transistores

 

SWI069R06VT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWI069R06VT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 89 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 442 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
     - Selección de transistores por parámetros

 

SWI069R06VT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:914K  samwin
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SWI069R06VT

SW069R06VTN-channel Enhanced mode TO-251 MOSFETFeaturesTO-251BVDSS : 60V High ruggednessID : 60A Low RDS(ON) (Typ 7.0m)@VGS=4.5V(Typ 6.0m)@VGS=10VRDS(ON) :7.0m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 83nC) Improved dv/dt Capability 6.0m@VGS=10V1 100% Avalanche Tested 232 Application:Electronic Ballast, Motor ControlInverter 1.Gate 2.Drain

 ..2. Size:916K  samwin
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SWI069R06VT

SW069R06VT N-channel Enhanced mode TO-251/DFN5*6 MOSFET Features TO-251 DFN5*6 BVDSS : 60V High ruggedness ID : 60A Low RDS(ON) (Typ 7.0m)@VGS=4.5V (Typ 6.0m)@VGS=10V RDS(ON) :7.0m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 83nC) Improved dv/dt Capability 6.0m@VGS=10V 1 G(4) D(5,6,7,8) 100% Avalanche Tested 2 3 S(1,2,3) D Application

 7.1. Size:753K  samwin
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SWI069R06VT

SW069R10VSN-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFETFeaturesTO-251 TO-252BVDSS : 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9.0m)@VGS=4.5VID : 70ALow RDS(ON) (Typ 7.1m)@VGS=10VRDS(ON) : 9.0m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 45nC) Improved dv/dt Capability 7.1m@VGS=10V 100% Avalanche Tested 11223 3 Application: Li Battery Protect Board,

 7.2. Size:784K  samwin
 swha069r10vs swi069r10vs swd069r10vs swp069r10vs swu069r10vs.pdf pdf_icon

SWI069R06VT

SW069R10VS N-channel Enhanced mode DFN5*6/TO-251/TO-252/TO-220/TO-262 MOSFET Features TO-252 TO-220 TO-262 DFN5*6 TO-251 BVDSS : 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9.0m)@VGS=4.5V ID : 70A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 7.1m)@VGS=10V 2 7 6 3 RDS(ON) : 9.0m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 45nC) 4 5 Improved dv/dt Capability 7.1m@VGS=10V

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History: SFG60N12PF | HITJ0203MP | SPP80P06PH | IRFPC42R | 3SK131 | SIHF9540S | FCPF165N65S3R0L

 

 
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