SWI069R06VT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWI069R06VT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 89 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 442 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: TO251

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SWI069R06VT datasheet

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SWI069R06VT

SW069R06VT N-channel Enhanced mode TO-251 MOSFET Features TO-251 BVDSS 60V High ruggedness ID 60A Low RDS(ON) (Typ 7.0m )@VGS=4.5V (Typ 6.0m )@VGS=10V RDS(ON) 7.0m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 83nC) Improved dv/dt Capability 6.0m @VGS=10V 1 100% Avalanche Tested 2 3 2 Application Electronic Ballast, Motor Control Inverter 1.Gate 2.Drain

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SWI069R06VT

SW069R06VT N-channel Enhanced mode TO-251/DFN5*6 MOSFET Features TO-251 DFN5*6 BVDSS 60V High ruggedness ID 60A Low RDS(ON) (Typ 7.0m )@VGS=4.5V (Typ 6.0m )@VGS=10V RDS(ON) 7.0m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 83nC) Improved dv/dt Capability 6.0m @VGS=10V 1 G(4) D(5,6,7,8) 100% Avalanche Tested 2 3 S(1,2,3) D Application

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SWI069R06VT

SW069R10VS N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-251 TO-252 BVDSS 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9.0m )@VGS=4.5V ID 70A Low RDS(ON) (Typ 7.1m )@VGS=10V RDS(ON) 9.0m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 45nC) Improved dv/dt Capability 7.1m @VGS=10V 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 3 3 Application Li Battery Protect Board,

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SWI069R06VT

SW069R10VS N-channel Enhanced mode DFN5*6/TO-251/TO-252/TO-220/TO-262 MOSFET Features TO-252 TO-220 TO-262 DFN5*6 TO-251 BVDSS 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9.0m )@VGS=4.5V ID 70A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 7.1m )@VGS=10V 2 7 6 3 RDS(ON) 9.0m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 45nC) 4 5 Improved dv/dt Capability 7.1m @VGS=10V

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