SWI069R06VT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWI069R06VT
Маркировка: SW069R06VT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 208 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 83 nC
Время нарастания (tr): 89 ns
Выходная емкость (Cd): 442 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0075 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для SWI069R06VT
SWI069R06VT Datasheet (PDF)
swi069r06vt.pdf
SW069R06VTN-channel Enhanced mode TO-251 MOSFETFeaturesTO-251BVDSS : 60V High ruggednessID : 60A Low RDS(ON) (Typ 7.0m)@VGS=4.5V(Typ 6.0m)@VGS=10VRDS(ON) :7.0m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 83nC) Improved dv/dt Capability 6.0m@VGS=10V1 100% Avalanche Tested 232 Application:Electronic Ballast, Motor ControlInverter 1.Gate 2.Drain
swi069r06vt swha069r06vt.pdf
SW069R06VT N-channel Enhanced mode TO-251/DFN5*6 MOSFET Features TO-251 DFN5*6 BVDSS : 60V High ruggedness ID : 60A Low RDS(ON) (Typ 7.0m)@VGS=4.5V (Typ 6.0m)@VGS=10V RDS(ON) :7.0m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 83nC) Improved dv/dt Capability 6.0m@VGS=10V 1 G(4) D(5,6,7,8) 100% Avalanche Tested 2 3 S(1,2,3) D Application
swi069r10vs swd069r10vs.pdf
SW069R10VSN-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFETFeaturesTO-251 TO-252BVDSS : 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9.0m)@VGS=4.5VID : 70ALow RDS(ON) (Typ 7.1m)@VGS=10VRDS(ON) : 9.0m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 45nC) Improved dv/dt Capability 7.1m@VGS=10V 100% Avalanche Tested 11223 3 Application: Li Battery Protect Board,
swha069r10vs swi069r10vs swd069r10vs swp069r10vs swu069r10vs.pdf
SW069R10VS N-channel Enhanced mode DFN5*6/TO-251/TO-252/TO-220/TO-262 MOSFET Features TO-252 TO-220 TO-262 DFN5*6 TO-251 BVDSS : 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9.0m)@VGS=4.5V ID : 70A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 7.1m)@VGS=10V 2 7 6 3 RDS(ON) : 9.0m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 45nC) 4 5 Improved dv/dt Capability 7.1m@VGS=10V
swha069r10vs swi069r10vs swd069r10vs swp069r10vs.pdf
SW069R10VS N-channel Enhanced mode DFN5*6/TO-251/TO-252/TO-220 MOSFET Features DFN5*6 TO-251 TO-252 TO-220 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 70A Low RDS(ON) (Typ 7.1m)@VGS=10V RDS(ON) : 7.1m@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 45nC) Improved dv/dt Capability 9.0m@VGS=4.5V 1 100% Avalanche Tested G(4) 1 1 D(5,6,7,8) 2 2 2 3 3 3 A
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
