SWI20N20D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWI20N20D
   Código: SW20N20D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 186.6 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 37 nC
   Tiempo de subida (tr): 82 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 188 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

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SWI20N20D Datasheet (PDF)

..1. Size:703K samwin
swd20n20d swi20n20d.pdf

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9.1. Size:724K samwin
swd200r10vt swi200r10vt.pdf

SW200R10VT N-channel Enhanced mode TO-252/TO-251 MOSFET Features TO-251 TO-252 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 36A Low RDS(ON) (Typ 19.5m)@VGS=4.5V RDS(ON) : 19.5m@VGS=4.5V (Typ 18.7m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 86nC) 18.7m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 100% Avalanche Tested 3 2 3 Application: Syn

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Liste

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