SWI20N20D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWI20N20D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 186.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 82 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 188 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: TO251

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SWI20N20D datasheet

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SWI20N20D

SW20N20D N-channel Enhanced mode TO-252/TO-251 MOSFET TO-252 TO-251 Features BVDSS 200V ID 20A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.16 )@VGS=10V RDS(ON) 0.16 Low Gate Charge (Typ 37nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 3 3 Application LED,DC-DC 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description Th

 9.1. Size:724K  samwin
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SWI20N20D

SW200R10VT N-channel Enhanced mode TO-252/TO-251 MOSFET Features TO-251 TO-252 BVDSS 100V High ruggedness ID 36A Low RDS(ON) (Typ 19.5m )@VGS=4.5V RDS(ON) 19.5m @VGS=4.5V (Typ 18.7m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 86nC) 18.7m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 100% Avalanche Tested 3 2 3 Application Syn

Otros transistores... SWI130R06VT, SWI13N60K2, SWI13N65K2, SWI160R12VT, SWI19N10, SWI1N55D, SWI1N60, SWI200R10VT, IRFP460, SWI230R45VT, SWI2N60DC, SWI4N60D, SWI4N60K, SWI4N65DB, SWI4N65DC, SWI4N65K, SWI4N70K