SP8611 Todos los transistores

 

SP8611 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SP8611
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.32 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 406 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMINI8
 

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SP8611 Datasheet (PDF)

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SP8611

GreenProductSP8611aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.12.5 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.13.5 @ VGS=4.0VESD Protected.20V 8A 14.0 @ VGS=3.7V15.0 @ VGS=3.1V18.0 @ VGS=2.5V 5 4D2 G 26 3

Otros transistores... FDS6681Z , FDS6682 , STA6610 , FDS6690AS , STA4470 , FDS6692A , SP8651 , FDS6699S , IRF1404 , FDS6892A , FDS6898A , FDS6898AZ , FDS6898AZF085 , FDS6900AS , SP8608 , FDS6910 , SP8601 .

History: FDP150N10 | SGO4606T | STLT19

 

 
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