SP8611 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SP8611
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.32 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 406 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm
Paquete / Cubierta: SMINI8
- Selección de transistores por parámetros
SP8611 Datasheet (PDF)
sp8611.pdf

GreenProductSP8611aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.12.5 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.13.5 @ VGS=4.0VESD Protected.20V 8A 14.0 @ VGS=3.7V15.0 @ VGS=3.1V18.0 @ VGS=2.5V 5 4D2 G 26 3
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: SVT088R0NT | VBL2658 | WFW40N25W | GP2M011A090NG | FDS6892A | IPB14N03LA | NTLJS4159NT1G
History: SVT088R0NT | VBL2658 | WFW40N25W | GP2M011A090NG | FDS6892A | IPB14N03LA | NTLJS4159NT1G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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