SP8611 Todos los transistores

 

SP8611 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SP8611

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.32 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 406 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm

Encapsulados: SMINI8

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SP8611 datasheet

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SP8611

Green Product SP8611 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.0 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 12.5 @ VGS=4.5V Suface Mount Package. 13.5 @ VGS=4.0V ESD Protected. 20V 8A 14.0 @ VGS=3.7V 15.0 @ VGS=3.1V 18.0 @ VGS=2.5V 5 4 D2 G 2 6 3

Otros transistores... FDS6681Z , FDS6682 , STA6610 , FDS6690AS , STA4470 , FDS6692A , SP8651 , FDS6699S , IRF1404 , FDS6892A , FDS6898A , FDS6898AZ , FDS6898AZF085 , FDS6900AS , SP8608 , FDS6910 , SP8601 .

History: BSS138LT1

 

 

 

 

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