SWI4N60D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWI4N60D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 152.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm

Encapsulados: TO251

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SWI4N60D datasheet

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SWI4N60D

SW4N60D N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-220FT/TO-251/S/M/TO-252 MOSFET Features BVDSS 600V TO-251S TO-251M TO-252 TO-220F TO-220FT TO-251 ID 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.9 ) RDS(ON) 1.9 @VGS=10V Low Gate Charge (Typ 18nC) 1 1 1 2 1 1 2 1 2 2 2 3 Improved dv/dt Capability 2 3 3 2 3 3 3 100% Avalanche T

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SWI4N60D

SW4N60DC N-channel Enhancement mode TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-251 TO-252 BVDSS 600V ID 4A High ruggedness RDS(ON) (Typ 2.0 )@VGS=10V RDS(ON) 2.0 Gate Charge (Typ 17nC) Improved dv/dt Capability 1 2 1 2 100% Avalanche Tested 2 3 3 Application LED,Charge 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET is produce

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SWI4N60D

SW4N60DC N-channel Enhancement mode TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-251 TO-252 BVDSS 600V ID 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.0 )@VGS=10V RDS(ON) 2.0 Low Gate Charge (Typ 17nC) Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 100% Avalanche Tested 2 3 3 Application LED,Charger 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Descrip

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SWI4N60D

SW4N60K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-251 TO-252 BVDSS 600V High ruggedness ID 4A Low RDS(ON) (Typ 1 )@VGS=10V RDS(ON) 1 Low Gate Charge (Typ 13nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application Adapter,LED, Charger 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 3

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