SWI4N60D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWI4N60D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 152.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SWI4N60D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI4N60D даташит

 ..1. Size:916K  samwin
 swf4n60d swy4n60d swi4n60d swsi4n60d swmi4n60d swd4n60d.pdf pdf_icon

SWI4N60D

SW4N60D N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-220FT/TO-251/S/M/TO-252 MOSFET Features BVDSS 600V TO-251S TO-251M TO-252 TO-220F TO-220FT TO-251 ID 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.9 ) RDS(ON) 1.9 @VGS=10V Low Gate Charge (Typ 18nC) 1 1 1 2 1 1 2 1 2 2 2 3 Improved dv/dt Capability 2 3 3 2 3 3 3 100% Avalanche T

 0.1. Size:628K  samwin
 sw4n60dc swi4n60dc swd4n60dc.pdf pdf_icon

SWI4N60D

SW4N60DC N-channel Enhancement mode TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-251 TO-252 BVDSS 600V ID 4A High ruggedness RDS(ON) (Typ 2.0 )@VGS=10V RDS(ON) 2.0 Gate Charge (Typ 17nC) Improved dv/dt Capability 1 2 1 2 100% Avalanche Tested 2 3 3 Application LED,Charge 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET is produce

 0.2. Size:610K  samwin
 swi4n60dc swd4n60dc.pdf pdf_icon

SWI4N60D

SW4N60DC N-channel Enhancement mode TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-251 TO-252 BVDSS 600V ID 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.0 )@VGS=10V RDS(ON) 2.0 Low Gate Charge (Typ 17nC) Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 100% Avalanche Tested 2 3 3 Application LED,Charger 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Descrip

 7.1. Size:958K  samwin
 swf4n60k swi4n60k swd4n60k.pdf pdf_icon

SWI4N60D

SW4N60K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-251 TO-252 BVDSS 600V High ruggedness ID 4A Low RDS(ON) (Typ 1 )@VGS=10V RDS(ON) 1 Low Gate Charge (Typ 13nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application Adapter,LED, Charger 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SWI160R12VT, SWI19N10, SWI1N55D, SWI1N60, SWI200R10VT, SWI20N20D, SWI230R45VT, SWI2N60DC, IRF1404, SWI4N60K, SWI4N65DB, SWI4N65DC, SWI4N65K, SWI4N70K, SWI50P03, SWI5N30D, SWI6N65K