SWI80N04V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWI80N04V
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 104 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 55 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 323 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWI80N04V
SWI80N04V Datasheet (PDF)
swi80n04v swd80n04v.pdf
SW80N04V N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFET Features BVDSS : 40V TO-251 TO-252 ID : 80A High ruggedness Low RDS(ON) Typ 7.2m@VGS=4.5V RDS(ON) : 7.2m@VGS=4.5V Typ 6.0m@VGS=10V 6.0m@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 49nC) Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 2 100% Avalanche Tested 3 3 Application: LED, Charger, Ada
swi80n06v1.pdf
SW80N06V1 N-channel Enhanced mode TO-251 MOSFET Features TO-251 BVDSS : 60V High ruggedness ID : 80A Low RDS(ON) (Typ 6.7m)@VGS=4.5V (Typ 5.5m)@VGS=10V RDS(ON) : 6.7m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 103nC) 5.5m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 3 2 Application: Synchronous Rectification, Li Bat
swi80n08v1.pdf
SW80N08V1 N-channel Enhanced mode TO-251 MOSFET Features BVDSS : 80V TO-251 High ruggedness ID : 80A Low RDS(ON) (Typ 10m)@VGS=4.5V (Typ 9m)@VGS=10V RDS(ON) : 10m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 79nC) 9m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 2 Application:Synchronous Rectification, 2 3 Li Battery
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