SWJ5N70K Todos los transistores

 

SWJ5N70K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWJ5N70K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
 

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SWJ5N70K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:907K  samwin
 swn5n70k swj5n70k.pdf pdf_icon

SWJ5N70K

SW5N70K N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-262N MOSFET Features TO-251N TO-262N BVDSS : 700V ID : 5A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.94)@VGS=10V RDS(ON) : 0.94 Low Gate Charge (Typ 13nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:LED, Charger, TV-Power 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General D

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History: 2SK3891-01R | CEP01N65 | HGD046NE6AL | NP180N04TUG | SIR870ADP | VBL1104N | FIR10N65FG

 

 
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