SWJ5N70K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWJ5N70K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для SWJ5N70K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWJ5N70K даташит

 ..1. Size:907K  samwin
 swn5n70k swj5n70k.pdf pdf_icon

SWJ5N70K

SW5N70K N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-262N MOSFET Features TO-251N TO-262N BVDSS 700V ID 5A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.94 )@VGS=10V RDS(ON) 0.94 Low Gate Charge (Typ 13nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application LED, Charger, TV-Power 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General D

Другие IGBT... SWI80N08V1, SWI830D1, SWI8N65D, SWI8N80K, SWJ10N65D, SWJ13N65K2, SWJ20N65K, SWJ4N80D, IRLB4132, SWJ6N90D, SWJ7N65DA, SWJ7N70K, SWJ8N90KU, SWK028P04, SWK028P04VT, SWK083R06VLS, SWK083R06VS