SWJ6N90D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWJ6N90D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 186.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 124 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.3 Ohm

Encapsulados: TO262

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SWJ6N90D datasheet

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SWJ6N90D

SW6N90D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262N MOSFET TO-220F TO-262N Features BVDSS 900V ID 6A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.8 )@VGS=10V RDS(ON) 1.8 Low Gate Charge (Typ 42nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 3 3 Application UPS, LED, SMPS 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description

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SWJ6N90D

SW6N80D N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-220F/TO-252/TO-262/TO-262N MOSFET Features TO-251N TO-220F TO-252 TO-262 BVDSS 800V TO-262N ID 6A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.0 )@VGS=10V RDS(ON) 2.0 Low Gate Charge (Typ 32nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 2 2 3 3 3 3 3 Application LED

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SWJ6N90D

SW6N80D N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-220F/TO-252/TO-262/TO-262N MOSFET Features TO-251N TO-220F TO-252 BVDSS 800V TO-262 TO-262N ID 6A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.0 )@VGS=10V RDS(ON) 2.0 Low Gate Charge (Typ 32nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 2 2 3 3 3 3 3 Application LED , Charger, SMPS 1.

Otros transistores... SWI830D1, SWI8N65D, SWI8N80K, SWJ10N65D, SWJ13N65K2, SWJ20N65K, SWJ4N80D, SWJ5N70K, AO3401, SWJ7N65DA, SWJ7N70K, SWJ8N90KU, SWK028P04, SWK028P04VT, SWK083R06VLS, SWK083R06VS, SWK083R06VSM