SWK083R06VLS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWK083R06VLS
   Código: 083R06VLS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 22 nC
   Tiempo de subida (tr): 26 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 479 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0115 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWK083R06VLS

SWK083R06VLS Datasheet (PDF)

..1. Size:845K samwin
swk083r06vls.pdf

SW083R06VLSN-channel Enhanced mode SOP-8 MOSFETFeaturesSOP-8BVDSS : 60V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 13m)@VGS=4.5V5ID : 10A6(Typ 9.7m)@VGS=10V78 Low Gate Charge (Typ 22nC)RDS(ON) : 13m@VGS=4.5V4 Improved dv/dt Capability 39.7m@VGS=10V2 100% Avalanche Tested1 Application:Synchronous Rectification,DLi Battery Protec

4.1. Size:669K samwin
swk083r06vs.pdf

SW083R06VS N-channel Enhanced mode SOP8 MOSFET Features SOP8 BVDSS : 60V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 12m)@VGS=4.5V 5 ID : 10A 6 (Typ 9.5m)@VGS=10V 7 8 Low Gate Charge (Typ 18nC) RDS(ON) : 12m@VGS=4.5V 4 Improved dv/dt Capability 3 9.5m@VGS=10V 2 100% Avalanche Tested 1 Application:Synchronous Rectification,

4.2. Size:731K samwin
swk083r06vsm.pdf

SW083R06VSMN-channel Enhanced mode SOP8 MOSFETFeaturesSOP8BVDSS : 60V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 12m)@VGS=4.5V5ID : 10A6(Typ 9.5m)@VGS=10V78 Low Gate Charge (Typ 18nC)RDS(ON) : 12m@VGS=4.5V Improved dv/dt Capability 49.5m@VGS=10V3 100% Avalanche Tested21 Application:Synchronous Rectification,DLi Battery Protect

9.1. Size:681K samwin
sw088r06vt swk088r06vt swi088r06vt swd088r06vt swha088r06vt.pdf

SW088R06VT N-channel Enhanced mode SOP-8/TO-251/TO-252/DFN5*6 MOSFET Features TO-251 TO-252 DFN5*6 SOP-8 BVDSS : 60V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 11m)@VGS=4.5V ID : 40A 5 6 Low RDS(ON) (Typ 9.2m)@VGS=10V 7 8 RDS(ON) : 11m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 48nC) 4 3 Improved dv/dt Capability 2 9.2m@VGS=10V 1 100% A

9.2. Size:803K samwin
swk088r06vt.pdf

SW088R06VTN-channel Enhanced mode SOP8 MOSFETFeaturesSOP8BVDSS : 60V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 11m)@VGS=4.5VID : 40A56Low RDS(ON) (Typ 9.2m)@VGS=10V 78RDS(ON) : 11m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 48nC)43 Improved dv/dt Capability 29.2m@VGS=10V1 100% Avalanche Tested Application: Electronic Ballast, Motor DControl Sync

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: