SWK083R06VLS
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWK083R06VLS
Маркировка: 083R06VLS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 10
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 22
nC
trⓘ -
Время нарастания: 26
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 479
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115
Ohm
Тип корпуса:
SOP8
Аналог (замена) для SWK083R06VLS
SWK083R06VLS
Datasheet (PDF)
..1. Size:845K samwin
swk083r06vls.pdf 
SW083R06VLSN-channel Enhanced mode SOP-8 MOSFETFeaturesSOP-8BVDSS : 60V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 13m)@VGS=4.5V5ID : 10A6(Typ 9.7m)@VGS=10V78 Low Gate Charge (Typ 22nC)RDS(ON) : 13m@VGS=4.5V4 Improved dv/dt Capability 39.7m@VGS=10V2 100% Avalanche Tested1 Application:Synchronous Rectification,DLi Battery Protec
4.1. Size:669K samwin
swk083r06vs.pdf 
SW083R06VS N-channel Enhanced mode SOP8 MOSFET Features SOP8 BVDSS : 60V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 12m)@VGS=4.5V 5 ID : 10A 6 (Typ 9.5m)@VGS=10V 7 8 Low Gate Charge (Typ 18nC) RDS(ON) : 12m@VGS=4.5V 4 Improved dv/dt Capability 3 9.5m@VGS=10V 2 100% Avalanche Tested 1 Application:Synchronous Rectification,
4.2. Size:731K samwin
swk083r06vsm.pdf 
SW083R06VSMN-channel Enhanced mode SOP8 MOSFETFeaturesSOP8BVDSS : 60V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 12m)@VGS=4.5V5ID : 10A6(Typ 9.5m)@VGS=10V78 Low Gate Charge (Typ 18nC)RDS(ON) : 12m@VGS=4.5V Improved dv/dt Capability 49.5m@VGS=10V3 100% Avalanche Tested21 Application:Synchronous Rectification,DLi Battery Protect
9.1. Size:681K samwin
sw088r06vt swk088r06vt swi088r06vt swd088r06vt swha088r06vt.pdf 
SW088R06VT N-channel Enhanced mode SOP-8/TO-251/TO-252/DFN5*6 MOSFET Features TO-251 TO-252 DFN5*6 SOP-8 BVDSS : 60V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 11m)@VGS=4.5V ID : 40A 5 6 Low RDS(ON) (Typ 9.2m)@VGS=10V 7 8 RDS(ON) : 11m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 48nC) 4 3 Improved dv/dt Capability 2 9.2m@VGS=10V 1 100% A
9.2. Size:803K samwin
swk088r06vt.pdf 
SW088R06VTN-channel Enhanced mode SOP8 MOSFETFeaturesSOP8BVDSS : 60V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 11m)@VGS=4.5VID : 40A56Low RDS(ON) (Typ 9.2m)@VGS=10V 78RDS(ON) : 11m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 48nC)43 Improved dv/dt Capability 29.2m@VGS=10V1 100% Avalanche Tested Application: Electronic Ballast, Motor DControl Sync
Другие MOSFET... IRFP360LC
, IRFP3710
, IRFP430
, IRFP431
, IRFP432
, IRFP433
, IRFP440
, IRFP440A
, IRFP250
, IRFP442
, IRFP443
, IRFP448
, IRFP450
, IRFP450A
, IRFP450FI
, IRFP450LC
, IRFP451
.
