SWK110R03VT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWK110R03VT
   Código: SW110R03VT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 24 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 173 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWK110R03VT

SWK110R03VT Datasheet (PDF)

..1. Size:683K samwin
swk110r03vt.pdf

SW110R03VT N-channel Enhanced mode SOP8 MOSFET Features BVDSS : 30V SOP8 High ruggedness 5 ID : 11A 6 Low RDS(ON) (Typ 9.8m)@VGS=4.5V 7 8 RDS(ON) : 9.8m@VGS=4.5V Low RDS(ON) (Typ 8.3m)@VGS=10V 4 Low Gate Charge (Typ 24nC) 3 8.3m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested D Application:DC-DC

6.1. Size:810K samwin
swk110r06vt swha110r06vt.pdf

SW110R06VTN-channel Enhanced mode SOP8/DFN5*6 MOSFETFeaturesSOP8 DFN5*6 BVDSS : 60V High ruggednessID : 11A1 85 Low RDS(ON) (Typ 11m)@VGS=4.5V6 2 7(Typ 10m)@VGS=10V 76 RDS(ON) : 11m@VGS=4.5V384 5 Low Gate Charge (Typ 69nC)410m@VGS=10V3 Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1D Application: Electronic Ballast,

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