SWK30N04V Todos los transistores

 

SWK30N04V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWK30N04V
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 133 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 710 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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SWK30N04V Datasheet (PDF)

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SWK30N04V

SW30N04V N-channel Enhanced mode SOP-8 MOSFET Features SOP-8 BVDSS : 40V High ruggedness D D ID : 30A Low RDS(ON) (Typ 3.3m)@VGS=4.5V D D (Typ 2.7m)@VGS=10V G RDS(ON) : 3.3m@VGS=4.5V S Low Gate Charge (Typ 130nC) S 2.7m@VGS=10V Improved dv/dt Capability S G(4) D(5,6,7,8) 100% Avalanche Tested D Application: DC

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History: HCFL80R250 | IRFB9N65APBF | SSF6NS70F | IXTH6N120 | DMN4027SSS | DMN4031SSD | IXTK46N50L

 

 
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