SWK30N04V MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWK30N04V

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 133 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 710 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: SOP8

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SWK30N04V datasheet

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SWK30N04V

SW30N04V N-channel Enhanced mode SOP-8 MOSFET Features SOP-8 BVDSS 40V High ruggedness D D ID 30A Low RDS(ON) (Typ 3.3m )@VGS=4.5V D D (Typ 2.7m )@VGS=10V G RDS(ON) 3.3m @VGS=4.5V S Low Gate Charge (Typ 130nC) S 2.7m @VGS=10V Improved dv/dt Capability S G(4) D(5,6,7,8) 100% Avalanche Tested D Application DC

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