SWK30N04V MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWK30N04V
Маркировка: SW30N04V
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.9 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 130 nC
Время нарастания (tr): 133 ns
Выходная емкость (Cd): 710 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.004 Ohm
Тип корпуса: SOP8
SWK30N04V Datasheet (PDF)
..1. Size:607K samwin
swk30n04v.pdf
swk30n04v.pdf
SW30N04V N-channel Enhanced mode SOP-8 MOSFET Features SOP-8 BVDSS : 40V High ruggedness D D ID : 30A Low RDS(ON) (Typ 3.3m)@VGS=4.5V D D (Typ 2.7m)@VGS=10V G RDS(ON) : 3.3m@VGS=4.5V S Low Gate Charge (Typ 130nC) S 2.7m@VGS=10V Improved dv/dt Capability S G(4) D(5,6,7,8) 100% Avalanche Tested D Application: DC
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
