Справочник MOSFET. SWK30N04V

 

SWK30N04V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWK30N04V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 133 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 710 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWK30N04V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:607K  samwin
 swk30n04v.pdf pdf_icon

SWK30N04V

SW30N04V N-channel Enhanced mode SOP-8 MOSFET Features SOP-8 BVDSS : 40V High ruggedness D D ID : 30A Low RDS(ON) (Typ 3.3m)@VGS=4.5V D D (Typ 2.7m)@VGS=10V G RDS(ON) : 3.3m@VGS=4.5V S Low Gate Charge (Typ 130nC) S 2.7m@VGS=10V Improved dv/dt Capability S G(4) D(5,6,7,8) 100% Avalanche Tested D Application: DC

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.