Справочник MOSFET. SWK30N04V

 

SWK30N04V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWK30N04V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 133 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 710 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для SWK30N04V

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWK30N04V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:607K  samwin
 swk30n04v.pdf pdf_icon

SWK30N04V

SW30N04V N-channel Enhanced mode SOP-8 MOSFET Features SOP-8 BVDSS : 40V High ruggedness D D ID : 30A Low RDS(ON) (Typ 3.3m)@VGS=4.5V D D (Typ 2.7m)@VGS=10V G RDS(ON) : 3.3m@VGS=4.5V S Low Gate Charge (Typ 130nC) S 2.7m@VGS=10V Improved dv/dt Capability S G(4) D(5,6,7,8) 100% Avalanche Tested D Application: DC

Другие MOSFET... SWK110R03VT , SWK110R06VT , SWK120R45VT , SWK130R06VT , SWK15N04V , SWK15N06V , SWK200R10VT , SWK230R45VT , IRFP250 , SWL2N70D , SWMI4N60D , SWMN10N65D , SWMN10N65K , SWMN12N65D , SWMN12N65DA , SWMN15N50D , SWMN15N65J .

History: FQI13N06LTU | AP4412GM | SIR330DP

 

 
Back to Top

 


 
.