SWK30N04V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWK30N04V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 133 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 710 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для SWK30N04V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWK30N04V даташит

 ..1. Size:607K  samwin
 swk30n04v.pdf pdf_icon

SWK30N04V

SW30N04V N-channel Enhanced mode SOP-8 MOSFET Features SOP-8 BVDSS 40V High ruggedness D D ID 30A Low RDS(ON) (Typ 3.3m )@VGS=4.5V D D (Typ 2.7m )@VGS=10V G RDS(ON) 3.3m @VGS=4.5V S Low Gate Charge (Typ 130nC) S 2.7m @VGS=10V Improved dv/dt Capability S G(4) D(5,6,7,8) 100% Avalanche Tested D Application DC

Другие IGBT... SWK110R03VT, SWK110R06VT, SWK120R45VT, SWK130R06VT, SWK15N04V, SWK15N06V, SWK200R10VT, SWK230R45VT, AON7506, SWL2N70D, SWMI4N60D, SWMN10N65D, SWMN10N65K, SWMN12N65D, SWMN12N65DA, SWMN15N50D, SWMN15N65J