SWK30N04V MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWK30N04V
Маркировка: SW30N04V
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 130 nC
trⓘ - Время нарастания: 133 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 710 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: SOP8
SWK30N04V Datasheet (PDF)
swk30n04v.pdf
SW30N04V N-channel Enhanced mode SOP-8 MOSFET Features SOP-8 BVDSS : 40V High ruggedness D D ID : 30A Low RDS(ON) (Typ 3.3m)@VGS=4.5V D D (Typ 2.7m)@VGS=10V G RDS(ON) : 3.3m@VGS=4.5V S Low Gate Charge (Typ 130nC) S 2.7m@VGS=10V Improved dv/dt Capability S G(4) D(5,6,7,8) 100% Avalanche Tested D Application: DC
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918