SWMI4N60D Todos los transistores

 

SWMI4N60D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWMI4N60D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 152.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
     - Selección de transistores por parámetros

 

SWMI4N60D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:916K  samwin
 swf4n60d swy4n60d swi4n60d swsi4n60d swmi4n60d swd4n60d.pdf pdf_icon

SWMI4N60D

SW4N60D N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-220FT/TO-251/S/M/TO-252 MOSFET Features BVDSS : 600V TO-251S TO-251M TO-252 TO-220F TO-220FT TO-251 ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.9) RDS(ON) : 1.9 @VGS=10V Low Gate Charge (Typ 18nC) 1 1 1 2 1 1 2 1 2 2 2 3 Improved dv/dt Capability 2 3 3 2 3 3 3 100% Avalanche T

 7.1. Size:1049K  samwin
 swf4n65d swn4n65d swsi4n65d swmi4n65d swui4n65d swd4n65d sws4n65d swb4n65d swp4n65d swmqi4n65d.pdf pdf_icon

SWMI4N60D

SW4N65D SW4N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-251S/TO-251M/TO-251U/ TO-252/SOT-82/TO-263 /TO-220/TO-251MQ MOSFET Features TO-220F TO-251M TO-251U TO-251N TO-251S BVDSS : 650V High ruggedness ID : 4A Low RDS(ON) (Typ 2)@VGS=10V 1 1 1 1 1 2 2 2 Low Gate Charge (Typ 18nC) 2 RDS(ON) : 2 3 2 3 3 3 3 Improved dv/d

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRFZ24L

 

 
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