Справочник MOSFET. SWMI4N60D

 

SWMI4N60D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWMI4N60D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 152.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SWMI4N60D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWMI4N60D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:916K  samwin
swf4n60d swy4n60d swi4n60d swsi4n60d swmi4n60d swd4n60d.pdfpdf_icon

SWMI4N60D

SW4N60D N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-220FT/TO-251/S/M/TO-252 MOSFET Features BVDSS : 600V TO-251S TO-251M TO-252 TO-220F TO-220FT TO-251 ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.9) RDS(ON) : 1.9 @VGS=10V Low Gate Charge (Typ 18nC) 1 1 1 2 1 1 2 1 2 2 2 3 Improved dv/dt Capability 2 3 3 2 3 3 3 100% Avalanche T

 7.1. Size:1049K  samwin
swf4n65d swn4n65d swsi4n65d swmi4n65d swui4n65d swd4n65d sws4n65d swb4n65d swp4n65d swmqi4n65d.pdfpdf_icon

SWMI4N60D

SW4N65D SW4N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-251S/TO-251M/TO-251U/ TO-252/SOT-82/TO-263 /TO-220/TO-251MQ MOSFET Features TO-220F TO-251M TO-251U TO-251N TO-251S BVDSS : 650V High ruggedness ID : 4A Low RDS(ON) (Typ 2)@VGS=10V 1 1 1 1 1 2 2 2 Low Gate Charge (Typ 18nC) 2 RDS(ON) : 2 3 2 3 3 3 3 Improved dv/d

Другие MOSFET... SWK120R45VT , SWK130R06VT , SWK15N04V , SWK15N06V , SWK200R10VT , SWK230R45VT , SWK30N04V , SWL2N70D , IRF1407 , SWMN10N65D , SWMN10N65K , SWMN12N65D , SWMN12N65DA , SWMN15N50D , SWMN15N65J , SWMN4N65DD , SWMN5N60D .

History: APT6040SVFR | BSC054N04NSG | AP9971AGS-HF | SFS15R065PNF | CS6N70FB9D | 2SK2892-01R | SVD501DEAG

 

 
Back to Top

 


 
.