SWMN5N60D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWMN5N60D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWMN5N60D
SWMN5N60D Datasheet (PDF)
swf5n60d swmn5n60d.pdf
SW5N60D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220SF MOSFET Features TO-220F TO-220SF BVDSS : 600V ID : 5A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ1.9 )@VGS=10V RDS(ON) : 1.9 Low Gate Charge (Typ17nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 3 3 Application:DC-DC,LED 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description
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Liste
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