SWMN5N60D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWMN5N60D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SWMN5N60D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWMN5N60D даташит

 ..1. Size:780K  samwin
 swf5n60d swmn5n60d.pdf pdf_icon

SWMN5N60D

SW5N60D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220SF MOSFET Features TO-220F TO-220SF BVDSS 600V ID 5A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ1.9 )@VGS=10V RDS(ON) 1.9 Low Gate Charge (Typ17nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 3 3 Application DC-DC,LED 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description

Другие IGBT... SWMI4N60D, SWMN10N65D, SWMN10N65K, SWMN12N65D, SWMN12N65DA, SWMN15N50D, SWMN15N65J, SWMN4N65DD, 10N65, SWMN6N65K, SWMN7N65J, SWMN7N65K, SWMN7N90D, SWMN8N65LA, SWN10N50K, SWN10N65K, SWN10N80K2