Справочник MOSFET. SWMN5N60D

 

SWMN5N60D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWMN5N60D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SWMN5N60D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWMN5N60D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:780K  samwin
 swf5n60d swmn5n60d.pdf pdf_icon

SWMN5N60D

SW5N60D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220SF MOSFET Features TO-220F TO-220SF BVDSS : 600V ID : 5A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ1.9 )@VGS=10V RDS(ON) : 1.9 Low Gate Charge (Typ17nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 3 3 Application:DC-DC,LED 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description

Другие MOSFET... SWMI4N60D , SWMN10N65D , SWMN10N65K , SWMN12N65D , SWMN12N65DA , SWMN15N50D , SWMN15N65J , SWMN4N65DD , STP80NF70 , SWMN6N65K , SWMN7N65J , SWMN7N65K , SWMN7N90D , SWMN8N65LA , SWN10N50K , SWN10N65K , SWN10N80K2 .

History: QM2N7002E3K1 | IPB029N06N3

 

 
Back to Top

 


 
.