SWMN7N65J Todos los transistores

 

SWMN7N65J MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWMN7N65J
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.66 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de SWMN7N65J MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SWMN7N65J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:725K  samwin
 swmn7n65j swd7n65j.pdf pdf_icon

SWMN7N65J

SW7N65JN-channel Enhanced mode TO-220SF/TO-252 MOSFETFeaturesTO-220SF TO-252BVDSS : 650V High ruggednessID : 7A Low RDS(ON) (Typ 0.6)@VGS=10VRDS(ON) : 0.6 Low Gate Charge (Typ 13nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 12 22 Application:LED , Charger, PC Power 3 31. Gate 2. Drain 3. Source1General DescriptionThis power MO

 6.1. Size:1527K  samwin
 swp7n65d swi7n65d swn7n65d swd7n65d swf7n65d swmn7n65d swj7n65d swha7n65d.pdf pdf_icon

SWMN7N65J

SW7N65DN-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F/TO-220SF /TO-262N/DFN5*6 MOSFETFeaturesTO-220 TO-251TO-251N TO-252BVDSS : 650V High ruggednessID : 7A Low RDS(ON) (Typ 1.1)@VGS=10V RDS(ON) : 1.11 11122 Low Gate Charge (Typ 30nC) 223333 Improved dv/dt Capability DDFN5*6TO-220F TO-220SF TO-262N 100% Avalan

 6.2. Size:1524K  samwin
 sw7n65d swp7n65d swi7n65d swn7n65d swd7n65d swf7n65d swmn7n65d swj7n65d swha7n65d.pdf pdf_icon

SWMN7N65J

SW7N65DN-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F/TO-220SF /TO-262N/DFN5*6 MOSFETFeaturesTO-220 TO-251TO-251N TO-252BVDSS : 650V High ruggednessID : 7A Low RDS(ON) (Typ 1.1)@VGS=10V RDS(ON) : 1.11 11122 Low Gate Charge (Typ 30nC) 223333 Improved dv/dt Capability DDFN5*6TO-220F TO-220SF TO-262N 100% Avalan

 6.3. Size:1121K  samwin
 swf7n65k swmn7n65k swi7n65k swn7n65k swd7n65k swp7n65k.pdf pdf_icon

SWMN7N65J

SW7N65K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220SF/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220 MOSFET Features TO-220F TO-220SF TO-251 TO-251N TO-252 TO-220 BVDSS : 650V ID : 7A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.5)@VGS=10V RDS(ON) :0.5 Low Gate Charge (Typ 21nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 1 1 2 2 2 2 2 2 Applica

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SWMN10N65K , SWMN12N65D , SWMN12N65DA , SWMN15N50D , SWMN15N65J , SWMN4N65DD , SWMN5N60D , SWMN6N65K , SKD502T , SWMN7N65K , SWMN7N90D , SWMN8N65LA , SWN10N50K , SWN10N65K , SWN10N80K2 , SWN2N65K , SWN2N70D .

History: HTD1K5N10 | QM3014M6 | BL7N60A-D

 

 
Back to Top

 


 
.