SWN2N70D Todos los transistores

 

SWN2N70D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWN2N70D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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SWN2N70D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1061K  samwin
 swn2n70d swd2n70d swl2n70d swf2n70d.pdf pdf_icon

SWN2N70D

SW2N70D N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-252/TO-126/TO-220F MOSFET Features BVDSS : 700V TO-220F TO-251N TO-252 TO-126 ID : 2A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 5)@VGS=10V RDS(ON) : 5 Low Gate Charge (Typ 11nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 Application: Charger,LED 3 3 3 3 1 1. Gate 2.

 9.1. Size:688K  samwin
 swn2n65k swd2n65k.pdf pdf_icon

SWN2N70D

SW2N65K N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-252 MOSFET Features BVDSS : 650V TO-252 TO-251N ID : 2A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.9)@VGS=10V RDS(ON) : 1.9 Low Gate Charge (Typ 7.8nC) 2 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:Power Supply,LED Boost 1 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source General Descrip

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History: 30N06G-TA3-T

 

 
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