Справочник MOSFET. SWN2N70D

 

SWN2N70D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWN2N70D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.2 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SWN2N70D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWN2N70D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1061K  samwin
 swn2n70d swd2n70d swl2n70d swf2n70d.pdf pdf_icon

SWN2N70D

SW2N70D N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-252/TO-126/TO-220F MOSFET Features BVDSS : 700V TO-220F TO-251N TO-252 TO-126 ID : 2A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 5)@VGS=10V RDS(ON) : 5 Low Gate Charge (Typ 11nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 Application: Charger,LED 3 3 3 3 1 1. Gate 2.

 9.1. Size:688K  samwin
 swn2n65k swd2n65k.pdf pdf_icon

SWN2N70D

SW2N65K N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-252 MOSFET Features BVDSS : 650V TO-252 TO-251N ID : 2A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.9)@VGS=10V RDS(ON) : 1.9 Low Gate Charge (Typ 7.8nC) 2 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:Power Supply,LED Boost 1 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source General Descrip

Другие MOSFET... SWMN7N65J , SWMN7N65K , SWMN7N90D , SWMN8N65LA , SWN10N50K , SWN10N65K , SWN10N80K2 , SWN2N65K , AON6380 , SWN3N80D , SWN4N50K , SWN4N65DA , SWN4N65DD , SWN4N65K2 , SWN4N70D1 , SWN4N70K2 , SWN4N70L .

History: MSU11N50Q | 6N65KG-TF3-T | UT30P04

 

 
Back to Top

 


 
.