SWN4N70L Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWN4N70L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO251

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SWN4N70L datasheet

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SWN4N70L

SW4N70L N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-251N TO-252 BVDSS 700V ID 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.8 )@VGS=10V RDS(ON) 0.8 Low Gate Charge (Typ 18nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 3 1 3 3 Application LED,Charge, Adaptor 1. Gate 2. Drain 3. Sour

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SWN4N70L

SW4N70D N-channel Enhanced mode TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F MOSFET Features BVDSS 700V TO-251 TO-251N TO-252 TO-220F ID 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.3 )@VGS=10V RDS(ON) 2.3 Low Gate Charge (Typ 20nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 Application Charger,LED 1 1 2 2 2 2 3 3 3 3 1 1. Gate 2.

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SWN4N70L

SW4N70D N-channel Enhanced mode TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F MOSFET Features BVDSS 700V TO-251 TO-251N TO-252 TO-220F ID 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.3 )@VGS=10V RDS(ON) 2.3 Low Gate Charge (Typ 20nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 Application Charger,LED 1 1 2 2 2 2 3 3 3 3 1 1. Gate 2.

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SWN4N70L

SW4N70D1 N-channel Enhanced mode TO-251S/TO-251N/TO-251N-S2/TO-220F MOSFET Features TO-220F TO-251S TO-251N TO-251N-S2 BVDSS 700V ID 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.1 )@VGS=10V RDS(ON) 2.1 Low Gate Charge (Typ 18nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 Application Adapter,LED,Charger 3 3 3 3 1 1. Gate

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