SWN4N70L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWN4N70L
Código: SW4N70L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 700 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 18 nC
Tiempo de subida (tr): 25 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 28 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWN4N70L
SWN4N70L Datasheet (PDF)
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SW4N70L N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-251N TO-252 BVDSS : 700V ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.8)@VGS=10V RDS(ON) : 0.8 Low Gate Charge (Typ 18nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 3 1 3 3 Application: LED,Charge, Adaptor 1. Gate 2. Drain 3. Sour
sw4n70d swi4n70d swn4n70d swd4n70d swf4n70d.pdf
SW4N70D N-channel Enhanced mode TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F MOSFET Features BVDSS : 700V TO-251 TO-251N TO-252 TO-220F ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.3)@VGS=10V RDS(ON) : 2.3 Low Gate Charge (Typ 20nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 Application:Charger,LED 1 1 2 2 2 2 3 3 3 3 1 1. Gate 2.
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SW4N70D N-channel Enhanced mode TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F MOSFET Features BVDSS : 700V TO-251 TO-251N TO-252 TO-220F ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.3)@VGS=10V RDS(ON) : 2.3 Low Gate Charge (Typ 20nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 Application:Charger,LED 1 1 2 2 2 2 3 3 3 3 1 1. Gate 2.
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SW4N70D1N-channel Enhanced mode TO-251S/TO-251N/TO-251N-S2/TO-220F MOSFETFeatures TO-220FTO-251S TO-251N TO-251N-S2BVDSS : 700VID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.1)@VGS=10VRDS(ON) : 2.1 Low Gate Charge (Typ 18nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested111 1222 2 Application:Adapter,LED,Charger 333 311. Gate
swf4n70k2 swn4n70k2 swd4n70k2.pdf
SW4N70K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET Features BVDSS :700V TO-220F TO-251N TO-252 ID : 4 A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.15)@VGS=10V RDS(ON) :1.15 Low Gate Charge (Typ 7.1nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application:LED, Charger, Adaptor 3 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. S
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
