SWN5N70K Todos los transistores

 

SWN5N70K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWN5N70K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
     - Selección de transistores por parámetros

 

SWN5N70K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:907K  samwin
 swn5n70k swj5n70k.pdf pdf_icon

SWN5N70K

SW5N70K N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-262N MOSFET Features TO-251N TO-262N BVDSS : 700V ID : 5A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.94)@VGS=10V RDS(ON) : 0.94 Low Gate Charge (Typ 13nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:LED, Charger, TV-Power 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General D

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SH8K12 | STP55N06L | STP33N65M2 | AUIRF2804 | RFP12N06RLE | BUZ358 | RFL1N10L

 

 
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