Справочник MOSFET. SWN5N70K

 

SWN5N70K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWN5N70K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SWN5N70K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWN5N70K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:907K  samwin
 swn5n70k swj5n70k.pdf pdf_icon

SWN5N70K

SW5N70K N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-262N MOSFET Features TO-251N TO-262N BVDSS : 700V ID : 5A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.94)@VGS=10V RDS(ON) : 0.94 Low Gate Charge (Typ 13nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:LED, Charger, TV-Power 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General D

Другие MOSFET... SWN4N65DA , SWN4N65DD , SWN4N65K2 , SWN4N70D1 , SWN4N70K2 , SWN4N70L , SWN4N80D , SWN4N80K , STP65NF06 , SWN6N60D , SWN6N65K , SWN6N70DB , SWN7N65DA , SWN7N65DD , SWN7N65K , SWN7N65K2 , SWN7N65M .

History: BUK9M24-60E | HGN098N10SL | FQI19N20CTU | 2SK1377 | HX50N06-TA3 | FQPF5N50CFTU | UT3416

 

 
Back to Top

 


 
.