SWP030R04VT Todos los transistores

 

SWP030R04VT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWP030R04VT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 134 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 773 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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SWP030R04VT Datasheet (PDF)

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SWP030R04VT

SW030R04VTN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 BVDSS : 40VTO-263 High ruggednessID : 130A Low RDS(ON) (Typ 3.7m)@VGS=4.5VRDS(ON) : 3.7m@VGS=4.5V(Typ 2.8m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 120nC)2.8m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 12 2 100% Avalanche Tested23 3 Application:Power Supply,LED Boost1. Gate 2.

 9.1. Size:752K  samwin
swp036r10e8s swb036r10e8s.pdf pdf_icon

SWP030R04VT

SW036R10E8SN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 100V High ruggednessID : 175A Low RDS(ON) (Typ 3.8m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 85nC)RDS(ON) :3.8m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested211 Application:Synchronous Rectification,2233Li Battery Protect Board, Motor Drivers11. Gate 2.

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swp035r10e6s.pdf pdf_icon

SWP030R04VT

SW035R10E6SN-channel Enhanced mode TO-220 MOSFETFeaturesTO-220BVDSS : 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.1m)@VGS=10VID : 120A Low Gate Charge (Typ 96nC)RDS(ON) : 4.1m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested1 Application:Synchronous Rectification,23Li Battery Protect Board, Inverter21. Gate 2.Drain 3.Source1General Des

 9.3. Size:725K  samwin
swp031r06et swb031r06et.pdf pdf_icon

SWP030R04VT

SW031R06ET N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-263 TO-220 BVDSS : 60V High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 3.0m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.0m Low Gate Charge (Typ 148nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:Electronic Ballast , Motor 3 3 Control , Synchronous Rectificat

Otros transistores... SWN7N65M , SWN8N80K , SWNB4N65DA , SWNC4N65DC , SWNC4N65DD , SWNC4N70D1 , SWNX8N65D , SWP020R03VLT , IRFZ44N , SWP031R06ET , SWP035R10E6S , SWP036R10E8S , SWP038R04VT , SWP042R10ES , SWP046R08E8T , SWP046R08E9T , SWP046R68E8T .

History: PV551BA | IRFIBC30GPBF | APT50M50L2FLLG | MRF177M

 

 
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