SWP058R65E7T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWP058R65E7T
Código: SW058R65E7T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 104 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 364 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWP058R65E7T
SWP058R65E7T Datasheet (PDF)
swp058r65e7t swb058r65e7t.pdf
SW058R65E7TN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 65V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 6.1m)@VGS=10V ID : 100A Low Gate Charge (Typ 104nC)RDS(ON) : 6.1m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 1 Application:Synchronous Rectification,2 23 3Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2.Drain 3.
swp058r75e7t.pdf
SW058R75E7TN-channel Enhanced mode TO-220 MOSFETFeaturesTO-220BVDSS : 75V High ruggednessID : 100A Low RDS(ON) (Typ 6.3m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 107nC)RDS(ON) : 6.3m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 Application:Synchronous Rectification,23Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2.Drain 3.SourceGeneral Des
swp058r72e7t.pdf
SW058R72E7TN-channel Enhanced mode TO-220 MOSFETFeaturesTO-220BVDSS : 72V High ruggednessID : 100A Low RDS(ON) (Typ 6.3m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 107nC)RDS(ON) : 6.3m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 Application:Synchronous Rectification,23Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2.Drain 3.SourceGeneral Des
swp058r06e7t swb058r06e7t.pdf
SW058R06E7TN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETTO-220 TO-263FeaturesBVDSS : 60VID : 120A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 5.8m)@VGS=10VRDS(ON) : 5.8m Low Gate Charge (Typ 102nC) Improved dv/dt Capability 21 12 2 100% Avalanche Tested3 3 Application:Telecom, Computer, Inverter11. Gate 2. Drain 3. Source3General Description
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