SP8256 Todos los transistores

 

SP8256 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SP8256

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.67 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 278 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0083 Ohm

Encapsulados: DFN2X5

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SP8256 datasheet

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SP8256

Green Product SP8256 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.3 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 8.3 @ VGS=4.5V Suface Mount Package. 8.6 @ VGS=3.9V ESD Protected. 9.0 @ VGS=3.5V 20V 11A 10.0 @ VGS=3.1V 12.5 @ VGS=2.5V G2 DF N 2X5 D F

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SP8256

Green Product SP8255 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 15.0 @ VGS=4.5V Suface Mount Package. 16.0 @ VGS=4.0V ESD Protected. 16.5 @ VGS=3.7V 20V 7A 18.0 @ VGS=3.1V 23.0 @ VGS=2.5V G2 DF N 2X 5 S

Otros transistores... FDS6898AZ , FDS6898AZF085 , FDS6900AS , SP8608 , FDS6910 , SP8601 , FDS6911 , FDS6930B , 2N7000 , FDS6982AS , SP8255 , FDS6984AS , SP8076EL , FDS6986AS , SP8076E , FDS6990AS , SP8076 .

History: FDS6982AS

 

 

 

 

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