SWP072R08ET Todos los transistores

 

SWP072R08ET MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWP072R08ET
   Código: SW072R08ET
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 220.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 60 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 378 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0083 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

SWP072R08ET Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1029K  samwin
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SWP072R08ET

SW072R08ETN-channel Enhanced mode TO-263/TO-220 MOSFETFeaturesTO-263 TO-220 BVDSS : 80V High ruggednessID : 100A Low RDS(ON) (Typ 6.6m)@VGS=10VRDS(ON) : 6.6m Low Gate Charge (Typ 60nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 21 1 Application:Synchronous Rectification, 2 23 3Inverter, Li Battery Protect Board11. Gate 2. Drain 3. So

 6.1. Size:685K  samwin
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SWP072R08ET

SW072R06ET N-channel Enhanced mode TO-263/TO-220 MOSFET Features TO-263 TO-220 BVDSS : 60V High ruggedness ID : 75A Low RDS(ON) (Typ 6.8m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 84nC) RDS(ON) : 6.8m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 Application:Synchronous Rectification, 2 2 3 3 Li Battery Protect Board, Inverter

 7.1. Size:677K  samwin
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SWP072R08ET

SW072R68E7TN-channel Enhanced mode TO-220 MOSFETFeaturesTO-220BVDSS : 68V High ruggednessID : 90A Low RDS(ON) (Typ 7.5m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 78nC)RDS(ON) :7.5m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 Application:Synchronous Rectification,23Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2.Drain 3.SourceGeneral Descri

 7.2. Size:665K  samwin
 swp072r72e7t.pdf pdf_icon

SWP072R08ET

SW072R72E7TN-channel Enhanced mode TO-220 MOSFETFeaturesTO-220BVDSS : 72V High ruggednessID : 100A Low RDS(ON) (Typ 7.5m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 77nC)RDS(ON) :7.5m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 Application:Synchronous Rectification,23Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2.Drain 3.SourceGeneral Descr

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