SWP072R68E7T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWP072R68E7T
   Código: SW072R68E7T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 178.6 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 68 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 90 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 78 nC
   Tiempo de subida (tr): 74 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 244 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0088 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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SWP072R68E7T Datasheet (PDF)

..1. Size:677K samwin
swp072r68e7t.pdf

SW072R68E7TN-channel Enhanced mode TO-220 MOSFETFeaturesTO-220BVDSS : 68V High ruggednessID : 90A Low RDS(ON) (Typ 7.5m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 78nC)RDS(ON) :7.5m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 Application:Synchronous Rectification,23Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2.Drain 3.SourceGeneral Descri

7.1. Size:1029K samwin
swb072r08et swp072r08et.pdf

SW072R08ETN-channel Enhanced mode TO-263/TO-220 MOSFETFeaturesTO-263 TO-220 BVDSS : 80V High ruggednessID : 100A Low RDS(ON) (Typ 6.6m)@VGS=10VRDS(ON) : 6.6m Low Gate Charge (Typ 60nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 21 1 Application:Synchronous Rectification, 2 23 3Inverter, Li Battery Protect Board11. Gate 2. Drain 3. So

7.2. Size:665K samwin
swp072r72e7t.pdf

SW072R72E7TN-channel Enhanced mode TO-220 MOSFETFeaturesTO-220BVDSS : 72V High ruggednessID : 100A Low RDS(ON) (Typ 7.5m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 77nC)RDS(ON) :7.5m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 Application:Synchronous Rectification,23Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2.Drain 3.SourceGeneral Descr

7.3. Size:685K samwin
swb072r06et swp072r06et.pdf

SW072R06ET N-channel Enhanced mode TO-263/TO-220 MOSFET Features TO-263 TO-220 BVDSS : 60V High ruggedness ID : 75A Low RDS(ON) (Typ 6.8m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 84nC) RDS(ON) : 6.8m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 Application:Synchronous Rectification, 2 2 3 3 Li Battery Protect Board, Inverter

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Liste

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