SWP085R06V7T Todos los transistores

 

SWP085R06V7T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWP085R06V7T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 117.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 189 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0098 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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SWP085R06V7T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:813K  samwin
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SWP085R06V7T

SW085R06V7TN-channel Enhanced mode TO-220 MOSFETFeaturesTO-220BVDSS : 60V High ruggednessID : 80A Low RDS(ON) (Typ 10.5m)@VGS=4.5V(Typ 8.3m)@VGS=10VRDS(ON) : 10.5m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 66nC)8.3m@VGS=10V1 Improved dv/dt Capability 23 100% Avalanche Tested2 Application:Synchronous Rectification,1. Gate 2.Drain 3.Source

 4.1. Size:662K  samwin
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SWP085R06V7T

SW085R06VT N-channel Enhanced mode TO-220 MOSFET Features TO-220 BVDSS : 60V High ruggedness ID : 50A Low RDS(ON) (Typ 8.0m)@VGS=4.5V (Typ 7.3m)@VGS=10V RDS(ON) : 8.0m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 87nC) 7.3m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 2 3 Application:Electronic Ballast , Motor Cont

 7.1. Size:755K  samwin
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SWP085R06V7T

SW085R68E7TN-channel Enhanced mode TO-263/TO-220 MOSFETFeaturesTO-263 TO-220BVDSS : 68V High ruggednessID : 75A Low RDS(ON) (Typ 9.5m)@VGS=10VRDS(ON) : 9.5m Low Gate Charge (Typ 47nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested1 12 2 Application:Synchronous Rectification,3 31Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2.Drain 3.S

 9.1. Size:742K  samwin
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SWP085R06V7T

SW088R08E8TN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 80V High ruggednessID : 80A Low RDS(ON) (Typ 9.4m)@VGS=10VRDS(ON) : 9.4m Low Gate Charge (Typ 89nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested1 12 2 Application:Synchronous Rectification,3 31Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2.Drain 3.S

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History: VBZE30N06

 

 
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