SWP085R06V7T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWP085R06V7T
Маркировка: SW085R06V7T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 117.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 66 nC
trⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 189 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0098 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SWP085R06V7T
SWP085R06V7T Datasheet (PDF)
swp085r06v7t.pdf
SW085R06V7TN-channel Enhanced mode TO-220 MOSFETFeaturesTO-220BVDSS : 60V High ruggednessID : 80A Low RDS(ON) (Typ 10.5m)@VGS=4.5V(Typ 8.3m)@VGS=10VRDS(ON) : 10.5m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 66nC)8.3m@VGS=10V1 Improved dv/dt Capability 23 100% Avalanche Tested2 Application:Synchronous Rectification,1. Gate 2.Drain 3.Source
swp085r06vt.pdf
SW085R06VT N-channel Enhanced mode TO-220 MOSFET Features TO-220 BVDSS : 60V High ruggedness ID : 50A Low RDS(ON) (Typ 8.0m)@VGS=4.5V (Typ 7.3m)@VGS=10V RDS(ON) : 8.0m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 87nC) 7.3m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 2 3 Application:Electronic Ballast , Motor Cont
swb085r68e7t swp085r68e7t.pdf
SW085R68E7TN-channel Enhanced mode TO-263/TO-220 MOSFETFeaturesTO-263 TO-220BVDSS : 68V High ruggednessID : 75A Low RDS(ON) (Typ 9.5m)@VGS=10VRDS(ON) : 9.5m Low Gate Charge (Typ 47nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested1 12 2 Application:Synchronous Rectification,3 31Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2.Drain 3.S
swp088r08e8t swb088r08e8t.pdf
SW088R08E8TN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 80V High ruggednessID : 80A Low RDS(ON) (Typ 9.4m)@VGS=10VRDS(ON) : 9.4m Low Gate Charge (Typ 89nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested1 12 2 Application:Synchronous Rectification,3 31Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2.Drain 3.S
swp088r06vt swb088r06vt.pdf
SW088R06VTN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263 BVDSS : 60V High ruggednessID : 100A Low RDS(ON) (Typ 10m)@VGS=4.5V(Typ 8.2m)@VGS=10VRDS(ON) : 10m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 48nC)8.2m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested1 12 2 23 3 Application: Electronic Ballast, Motor ControlSync
swp086r68e7t swb086r68e7t.pdf
SW086R68E7TN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 68V High ruggednessID : 75A Low RDS(ON) (Typ 9.2m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 64nC)RDS(ON) :9.2m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 1 Application:Synchronous Rectification,2 23 3Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2.Drain 3.So
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918