SWP160R12VT Todos los transistores

 

SWP160R12VT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWP160R12VT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 120 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 211 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: TO220

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SWP160R12VT datasheet

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SWP160R12VT

SW160R12VT N-channel Enhanced mode TO-220 MOSFET Features TO-220 BVDSS 120V High ruggedness ID 50A Low RDS(ON) (Typ 16.4m )@VGS=4.5V Low RDS(ON) (Typ 14.6m )@VGS=10V RDS(ON) 16.4m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 64nC) 14.6m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 2 3 Application Synchronous Rectifi

 9.1. Size:1213K  samwin
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SWP160R12VT

SW16N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-263 BVDSS 650V ID 16A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.23 )@VGS=10V RDS(ON) 0.23 Low Gate Charge (Typ 43nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application LED, Charge, PC Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source

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SWP160R12VT

SW16N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-263 BVDSS 650V ID 16A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.23 )@VGS=10V RDS(ON) 0.23 Low Gate Charge (Typ 43nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application LED, Charger, PC Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source

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History: SIHP11N80E | NTTFS4823N

 

 

 

 

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