SWP160R12VT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWP160R12VT
   Código: SW160R12VT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 176 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 120 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.3 V
   Carga de la puerta (Qg): 64 nC
   Tiempo de subida (tr): 65 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 211 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWP160R12VT

SWP160R12VT Datasheet (PDF)

..1. Size:632K samwin
swp160r12vt.pdf

SW160R12VT N-channel Enhanced mode TO-220 MOSFET Features TO-220 BVDSS : 120V High ruggedness ID : 50A Low RDS(ON) (Typ 16.4m)@VGS=4.5V Low RDS(ON) (Typ 14.6m)@VGS=10V RDS(ON) : 16.4m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 64nC) 14.6m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 2 3 Application:Synchronous Rectifi

9.1. Size:1213K samwin
sw16n65k swp16n65k swf16n65k swb16n65k.pdf

SW16N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-263 BVDSS : 650V ID : 16A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.23)@VGS=10V RDS(ON) :0.23 Low Gate Charge (Typ 43nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application:LED, Charge, PC Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source

9.2. Size:1143K samwin
swp16n65k swf16n65k swb16n65k.pdf

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