SWP17N80K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWP17N80K
Código: SW17N80K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 57 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.39 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWP17N80K
SWP17N80K Datasheet (PDF)
..1. Size:697K samwin
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SW17N80K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220 MOSFET TO-220F TO-220 BVDSS : 800V Features ID : 17A High ruggedness RDS(ON) : 0.31 Low RDS(ON) (Typ 0.31)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 57nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 3 3 Application: LED , Charger, SMPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Descr
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