SWP17N80K Todos los transistores

 

SWP17N80K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWP17N80K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.39 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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SWP17N80K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:697K  samwin
 swf17n80k swp17n80k.pdf pdf_icon

SWP17N80K

SW17N80K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220 MOSFET TO-220F TO-220 BVDSS : 800V Features ID : 17A High ruggedness RDS(ON) : 0.31 Low RDS(ON) (Typ 0.31)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 57nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 3 3 Application: LED , Charger, SMPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Descr

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History: LP9435LT1G | HMS28N65D | 2SK3673-01MR

 

 
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