SWP630A1 Todos los transistores

 

SWP630A1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWP630A1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 152 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.41 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de SWP630A1 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SWP630A1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:581K  samwin
 swp630a1.pdf pdf_icon

SWP630A1

SW630A1 N-channel Enhanced mode TO-220 MOSFET TO-220 BVDSS : 200V Features ID : 10A High ruggedness RDS(ON) : 0.34 Low RDS(ON) (Typ 0.34)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 17nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: LED , Charger, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power

 8.1. Size:764K  samwin
 sw630d swp630d swd630d.pdf pdf_icon

SWP630A1

SW630D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-252 MOSFET Features TO-220 TO-252 BVDSS : 200V High ruggedness ID : 9A Low RDS(ON) (Typ 0.27)@VGS=10V RDS(ON) : 0.27 Low Gate Charge (Typ 20nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:Synchronous Rectification, 3 3 DC-DC 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 G

 8.2. Size:742K  samwin
 sw630 swp630 swf630 swd630.pdf pdf_icon

SWP630A1

SAMWIN SW630N-channel MOSFETTO-220F TO-220 TO-252FeaturesBVDSS : 200V High ruggednessID : 10A RDS(ON) (Max 0.4 )@VGS=10V Gate Charge (Typ 20nC)RDS(ON) : 0.4ohm1 Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested1 132 23 321. Gate 2. Drain 3. SourceGeneral Description1This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMW

 8.3. Size:780K  samwin
 swp630d swd630d.pdf pdf_icon

SWP630A1

SW630D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-252 MOSFET Features TO-220 TO-252 BVDSS : 200V High ruggedness ID : 9A Low RDS(ON) (Typ 0.27)@VGS=10V RDS(ON) : 0.27 Low Gate Charge (Typ 20nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:Synchronous Rectification, 3 3 DC-DC 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 G

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SWP160R12VT , SWP17N80K , SWP180N75A , SWP19N10 , SWP20N65K , SWP3205B , SWP340R10VT , SWP540 , STP80NF70 , SWP640D , SWP70N10V , SWP740D , SWP7N65K , SWP7N70K , SWP80N08V1 , SWP830D1 , SWP8N65D .

History: PHD9NQ20T | LNC06R230 | FHU2N60A

 

 
Back to Top

 


 
.