SWP630A1 Todos los transistores

 

SWP630A1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWP630A1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 152 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.41 Ohm

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de SWP630A1 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SWP630A1 datasheet

 ..1. Size:581K  samwin
swp630a1.pdf pdf_icon

SWP630A1

SW630A1 N-channel Enhanced mode TO-220 MOSFET TO-220 BVDSS 200V Features ID 10A High ruggedness RDS(ON) 0.34 Low RDS(ON) (Typ 0.34 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 17nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application LED , Charger, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power

 8.1. Size:764K  samwin
sw630d swp630d swd630d.pdf pdf_icon

SWP630A1

SW630D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-252 MOSFET Features TO-220 TO-252 BVDSS 200V High ruggedness ID 9A Low RDS(ON) (Typ 0.27 )@VGS=10V RDS(ON) 0.27 Low Gate Charge (Typ 20nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application Synchronous Rectification, 3 3 DC-DC 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 G

 8.2. Size:742K  samwin
sw630 swp630 swf630 swd630.pdf pdf_icon

SWP630A1

SAMWIN SW630 N-channel MOSFET TO-220F TO-220 TO-252 Features BVDSS 200V High ruggedness ID 10A RDS(ON) (Max 0.4 )@VGS=10V Gate Charge (Typ 20nC) RDS(ON) 0.4ohm 1 Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 3 2 2 3 3 2 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 1 This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMW

 8.3. Size:780K  samwin
swp630d swd630d.pdf pdf_icon

SWP630A1

SW630D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-252 MOSFET Features TO-220 TO-252 BVDSS 200V High ruggedness ID 9A Low RDS(ON) (Typ 0.27 )@VGS=10V RDS(ON) 0.27 Low Gate Charge (Typ 20nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application Synchronous Rectification, 3 3 DC-DC 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 G

Otros transistores... SWP160R12VT , SWP17N80K , SWP180N75A , SWP19N10 , SWP20N65K , SWP3205B , SWP340R10VT , SWP540 , 10N65 , SWP640D , SWP70N10V , SWP740D , SWP7N65K , SWP7N70K , SWP80N08V1 , SWP830D1 , SWP8N65D .

History: FDS89141 | NTMFS4823N | 2SJ332S | J330 | LSE65R125HT | FDMC8882 | SL9435A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.