SWP9N25D Todos los transistores

 

SWP9N25D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWP9N25D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 114 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 104 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm

Encapsulados: TO220

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SWP9N25D datasheet

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SWP9N25D

SW9N25D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-252 MOSFET BVDSS 250V Features TO-220 TO-252 ID 9A High ruggedness RDS(ON) 0.37 Low RDS(ON) (Typ 0.37 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 20.3nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 100% Avalanche Tested 3 3 1 Application LED , DC-DC 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description

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SWP9N25D

SW9N50D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220/TO-252 MOSFET Features TO-252 TO-220F TO-220 BVDSS 500V ID 9A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.68 )@VGS=10V RDS(ON) 0.68 Low Gate Charge (Typ 31nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 1 2 2 2 Application DC-DC LED PC 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source

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