SWT20N50D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWT20N50D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 272 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
Encapsulados: TO247
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SWT20N50D datasheet
swf20n50d swt20n50d.pdf
SW20N50D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-247 MOSFET Features TO-220F TO-247 BVDSS 500V ID 20A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.19 )@VGS=10V RDS(ON) 0.19 Low Gate Charge (Typ 82nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application Charger, Adaptor, LED 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General De
swf20n65d swt20n65d.pdf
SW20N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-247 MOSFET TO-220F TO-247 BVDSS 650V Features ID 20A High ruggedness RDS(ON) 0.31 Low RDS(ON) (Typ 0.31 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 88nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 3 3 Application Charger, Adaptor, LED 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Desc
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History: APM7334K | 9N90L-TF1 | TPM6401S3
History: APM7334K | 9N90L-TF1 | TPM6401S3
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