Справочник MOSFET. SWT20N50D

 

SWT20N50D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWT20N50D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 272 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SWT20N50D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWT20N50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:803K  samwin
 swf20n50d swt20n50d.pdf pdf_icon

SWT20N50D

SW20N50D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-247 MOSFET Features TO-220F TO-247 BVDSS : 500V ID : 20A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.19)@VGS=10V RDS(ON) : 0.19 Low Gate Charge (Typ 82nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:Charger, Adaptor, LED 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General De

 8.1. Size:716K  samwin
 swf20n65d swt20n65d.pdf pdf_icon

SWT20N50D

SW20N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-247 MOSFET TO-220F TO-247 BVDSS : 650V Features ID : 20A High ruggedness RDS(ON) : 0.31 Low RDS(ON) (Typ 0.31)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 88nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 3 3 Application:Charger, Adaptor, LED 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Desc

Другие MOSFET... SWSA1N60DC , SWSA2N40D , SWSI2N40DC , SWSI4N40DC , SWSI4N60D , SWSI4N60DA , SWSI4N70D1 , SWT10N50K , RU7088R , SWT20N65D , SWT22N65D , SWT24N50D , SWT38N60K , SWT38N65K , SWT38N65K2 , SWT38N65K2F , SWT38N70K .

History: JMSH0805PK | 1N65L-TM3-T | 2SK1948 | HM60N05 | STF6NM60N | AP2N3R7LYT | HM8N20

 

 
Back to Top

 


 
.