Справочник MOSFET. SWT20N50D

 

SWT20N50D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWT20N50D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 272 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWT20N50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:803K  samwin
 swf20n50d swt20n50d.pdf pdf_icon

SWT20N50D

SW20N50D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-247 MOSFET Features TO-220F TO-247 BVDSS : 500V ID : 20A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.19)@VGS=10V RDS(ON) : 0.19 Low Gate Charge (Typ 82nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:Charger, Adaptor, LED 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General De

 8.1. Size:716K  samwin
 swf20n65d swt20n65d.pdf pdf_icon

SWT20N50D

SW20N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-247 MOSFET TO-220F TO-247 BVDSS : 650V Features ID : 20A High ruggedness RDS(ON) : 0.31 Low RDS(ON) (Typ 0.31)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 88nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 3 3 Application:Charger, Adaptor, LED 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Desc

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: UTM4052L-S08-R

 

 
Back to Top

 


 
.