SWT20N65D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWT20N65D
Código: SW20N65D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 312.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 88 nC
Tiempo de subida (tr): 81 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 311 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWT20N65D
SWT20N65D Datasheet (PDF)
swf20n65d swt20n65d.pdf
SW20N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-247 MOSFET TO-220F TO-247 BVDSS : 650V Features ID : 20A High ruggedness RDS(ON) : 0.31 Low RDS(ON) (Typ 0.31)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 88nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 3 3 Application:Charger, Adaptor, LED 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Desc
swf20n50d swt20n50d.pdf
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