SWT45N60K2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWT45N60K2
   Código: SW45N60K2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 337.8 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 45 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 74 nC
   Tiempo de subida (tr): 86 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 113 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.076 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWT45N60K2

SWT45N60K2 Datasheet (PDF)

..1. Size:635K samwin
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SW45N60K2 N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS : 600V Features ID : 45A High ruggedness RDS(ON) : 60m Low RDS(ON) (Typ 60m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 74nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: Charger, LED , UPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSF

0.1. Size:628K samwin
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SW45N60K2F N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS : 600V Features ID : 45A High ruggedness RDS(ON) : 65m Low RDS(ON) (Typ 65m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 74nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: Charger, LED , UPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOS

7.1. Size:655K samwin
swt45n65k2.pdf

SW45N65K2 N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS : 650V Features ID : 45A High ruggedness RDS(ON) : 61m Low RDS(ON) (Typ 61m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 74nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: Charger, LED , UPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSF

7.2. Size:650K samwin
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SW45N65K2F N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS : 650V Features ID : 45A High ruggedness RDS(ON) : 66m Low RDS(ON) (Typ 66m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 74nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: Charger, LED , UPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOS

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Liste

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