SP8076 Todos los transistores

 

SP8076 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SP8076
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.67 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 33 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 78 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSON3.3X3.3
 

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SP8076 Datasheet (PDF)

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SP8076

GreenProductSP8076aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.4.6 @ VGS=10VSuface Mount Package.33V 27A6.9 @ VGS=4.5V Pin 1TSON 3.3 x 3.3ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless otherwise noted)Symbol

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SP8076

GreenProductSP8076EaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.3N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) TypVDSS IDRugged and reliable.3.8 @ VGS=10VSuface Mount Package.33V 27A4.9 @ VGS=6V ESD Protected.D 5 4 GD 6 3S7 2D SPin 18 1D STSON 3.3 x 3.3ABSOLUTE MAX

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SP8076

GreenProductSP8076ELaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.4N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) TypRugged and reliable.4.0 @ VGS=10VSuface Mount Package.33V 27A 4.5 @ VGS=6VESD Protected.5.5 @ VGS=4.5VD 5 4 GD 6 3S7 2D SPin 18 1D STSON 3.3 x 3.3

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History: IRF654A

 

 
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