SWT47N70K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWT47N70K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 328.9 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 99 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
Encapsulados: TO247
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SWT47N70K datasheet
swt47n70k.pdf
SW47N70K N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET Features TO-247 BVDSS 700V ID 47A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 65m )@VGS=10V RDS(ON) 65m Low Gate Charge (Typ 152nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 2 3 Application Charger,LED,PC Power 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MO
sw47n65k2 swt47n65k2.pdf
SW47N65K2 N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS 650V Features ID 47A High ruggedness RDS(ON) 56m Low RDS(ON) (Typ 56m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 103nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application LED, UPS, Charge, Servicer 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This p
swt47n60k.pdf
SW47N60K N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET Features BVDSS 600V TO-247 ID 47A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 56m )@VGS=10V RDS(ON) 56m Low Gate Charge (Typ 152nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 2 3 Application Charger,LED,PC Power 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MO
swt47n65k2.pdf
SW47N65K2 N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS 650V Features ID 47A High ruggedness RDS(ON) 56m Low RDS(ON) (Typ 56m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 103nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application LED, UPS, Charger, Servicer 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This
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History: HFP75N08 | MCU80N06A
🌐 : EN ES РУ
Liste
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