Справочник MOSFET. SWT47N70K

 

SWT47N70K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWT47N70K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 328.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 99 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SWT47N70K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWT47N70K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:611K  samwin
 swt47n70k.pdf pdf_icon

SWT47N70K

SW47N70K N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET Features TO-247 BVDSS : 700V ID : 47A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 65m)@VGS=10V RDS(ON) :65m Low Gate Charge (Typ 152nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 2 3 Application:Charger,LED,PC Power 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MO

 8.1. Size:810K  samwin
 sw47n65k2 swt47n65k2.pdf pdf_icon

SWT47N70K

SW47N65K2 N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS : 650V Features ID : 47A High ruggedness RDS(ON) : 56m Low RDS(ON) (Typ 56m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 103nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: LED, UPS, Charge, Servicer 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This p

 8.2. Size:582K  samwin
 swt47n60k.pdf pdf_icon

SWT47N70K

SW47N60K N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET Features BVDSS : 600V TO-247 ID : 47A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 56m)@VGS=10V RDS(ON) :56m Low Gate Charge (Typ 152nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 2 3 Application:Charger,LED,PC Power 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MO

 8.3. Size:748K  samwin
 swt47n65k2.pdf pdf_icon

SWT47N70K

SW47N65K2 N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS : 650V Features ID : 47A High ruggedness RDS(ON) : 56m Low RDS(ON) (Typ 56m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 103nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: LED, UPS, Charger, Servicer 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SWT45N60K2 , SWT45N60K2F , SWT45N65K2 , SWT45N65K2F , SWT47N60K , SWT47N65K , SWT47N65K2F , SWT47N65KF , IRFZ44N , SWT50N65LF , SWT69N65K2 , SWT69N65K2F , SWU069R10VS , SWU100R10VT , SWU10N65D , SWU10N65K , SWU11N65D .

History: SIHFD014 | CS7456 | STF13N60M2 | HGN028NE6AL | SI7491DP | IXTQ44P15T

 

 
Back to Top

 


 
.