SWT69N65K2F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWT69N65K2F
   Código: SW69N65K2F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 431 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 69 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 184 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 94 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 242 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWT69N65K2F

SWT69N65K2F Datasheet (PDF)

..1. Size:612K samwin
swt69n65k2f.pdf

SW69N65K2F N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET Features TO-247 BVDSS : 650V ID : 69A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 35m) RDS(ON) : 35m Low Gate Charge (Typ 184nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 3 Application:Charger,LED,PC Power 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET is pr

4.1. Size:596K samwin
swt69n65k2.pdf

SW69N65K2 N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET Features TO-247 BVDSS : 650V ID : 69A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 32m) RDS(ON) : 32m Low Gate Charge (Typ 181nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 3 Application:Charger,LED,PC Power 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET is pro

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Liste

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