Справочник MOSFET. SWT69N65K2F

 

SWT69N65K2F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWT69N65K2F
   Маркировка: SW69N65K2F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 431 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 69 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 184 nC
   trⓘ - Время нарастания: 94 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 242 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SWT69N65K2F

 

 

SWT69N65K2F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:612K  samwin
 swt69n65k2f.pdf

SWT69N65K2F SWT69N65K2F

SW69N65K2F N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET Features TO-247 BVDSS : 650V ID : 69A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 35m) RDS(ON) : 35m Low Gate Charge (Typ 184nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 3 Application:Charger,LED,PC Power 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET is pr

 4.1. Size:596K  samwin
 swt69n65k2.pdf

SWT69N65K2F SWT69N65K2F

SW69N65K2 N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET Features TO-247 BVDSS : 650V ID : 69A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 32m) RDS(ON) : 32m Low Gate Charge (Typ 181nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 3 Application:Charger,LED,PC Power 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET is pro

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top