SWU100R10VT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWU100R10VT
Código: SW100R10VT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 178.6 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 69 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.3 V
Carga de la puerta (Qg): 73 nC
Tiempo de subida (tr): 87 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 259 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0118 Ohm
Paquete / Cubierta: TO262
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWU100R10VT
SWU100R10VT Datasheet (PDF)
swp100r10vt swi100r10vt swu100r10vt.pdf
SW100R10VT N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-262 MOSFET Features TO-220 TO-251 TO-262 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 69A Low RDS(ON) (Typ 11m)@VGS=4.5V (Typ 9.5m)@VGS=10V RDS(ON) : 11m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 73nC) 9.5m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 2 3 3 3
swf10n65d swmn10n65d swy10n65d swp10n65d swu10n65d swj10n65d.pdf
SW10N65DN-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220SF/TO-220FT/TO-220/TO-262/TO-262N MOSFETFeaturesTO-262 TO-262NTO-220F TO-220SF TO-220FT TO-220BVDSS : 650V High ruggednessID : 10A Low RDS(ON) (Typ 0.9)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 35nC)RDS(ON) : 0.9 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested2 Application: UPS,Inverter, 1 112 2 1 1 1
sw10n70d swu10n70d.pdf
SW10N70D N-channel Enhanced mode TO-262 MOSFET Features TO-262 BVDSS : 700V ID : 10A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.0)@VGS=10V RDS(ON) : 1.0 Low Gate Charge (Typ 37nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application:LED, Charge, TV-Power 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This power M
swp10n65k swf10n65k swn10n65k swd10n65k swu10n65k swmn10n65k.pdf
SW10N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-251N /TO-252/ TO-262/TO-220SF MOSFET Features TO-220F TO-251N TO-262 TO-220 TO-252 TO-220SF BVDSS : 650V High ruggedness ID : 10A Low RDS(ON) (Typ 0.36)@VGS=10V RDS(ON) :0.36 Low Gate Charge (Typ29nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 Applicatio
swu10n70d.pdf
SW10N70D N-channel Enhanced mode TO-262 MOSFET Features TO-262 BVDSS : 700V ID : 10A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.0)@VGS=10V RDS(ON) : 1.0 Low Gate Charge (Typ 37nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application:LED, Charger, TV-Power 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This power
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