SWU11N65D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWU11N65D
   Código: SW11N65D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 266 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 11 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 43 nC
   Tiempo de subida (tr): 51 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 152 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262

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SWU11N65D Datasheet (PDF)

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swp11n65d swf11n65d swu11n65d.pdf

SW11N65D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-262 MOSFET TO-220 TO-220F TO-262 BVDSS : 650V Features ID : 11A High ruggedness RDS(ON) : 0.75 Low RDS(ON) (Typ 0.75)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 43nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 2 3 3 3 Application: LED , Adaptor 1. Gate 2. Drain 3. Source

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: JCS15N65BEI

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: