SWU8N80K Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWU8N80K  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 198 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO262

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SWU8N80K datasheet

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SWU8N80K

SW8N80K N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-262 MOSFET Features BVDSS 800V TO-220F TO-251 TO-251N TO-252 TO-262 ID 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.67 )@VGS=10V RDS(ON) 0.67 Low Gate Charge (Typ 30nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 3 3 3 3 Application Adapter,LE

 9.1. Size:675K  samwin
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SWU8N80K

SW8N65K N-channel Enhanced mode TO-262 MOSFET Features BVDSS 650V TO-262 ID 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.53 )@VGS=10V RDS(ON) 0.53 Low Gate Charge (Typ 20nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 Application LED,Charger,PC Power 2 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 3 General Description This power MOS

 9.2. Size:804K  samwin
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SWU8N80K

SW8N60D N-channel Enhanced mode TO-262/TO-220F MOSFET Features TO-262 BVDSS 600V TO-220F ID 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.92 )@VGS=10V RDS(ON) 0.92 Low Gate Charge (Typ 29nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 Application LED,Charger,PC Power 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Descr

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