SWU8N80K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWU8N80K
Código: SW8N80K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 198 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 30 nC
Tiempo de subida (tr): 41 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 44 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO262
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWU8N80K
SWU8N80K Datasheet (PDF)
swf8n80k swi8n80k swn8n80k swd8n80k swu8n80k.pdf
SW8N80K N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-262 MOSFET Features BVDSS : 800V TO-220F TO-251 TO-251N TO-252 TO-262 ID : 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.67)@VGS=10V RDS(ON) : 0.67 Low Gate Charge (Typ 30nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 3 3 3 3 Application:Adapter,LE
swu8n65k.pdf
SW8N65K N-channel Enhanced mode TO-262 MOSFET Features BVDSS : 650V TO-262 ID : 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.53)@VGS=10V RDS(ON) : 0.53 Low Gate Charge (Typ 20nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 Application:LED,Charger,PC Power 2 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 3 General Description This power MOS
swu8n60d swf8n60d.pdf
SW8N60D N-channel Enhanced mode TO-262/TO-220F MOSFET Features TO-262 BVDSS : 600V TO-220F ID : 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.92)@VGS=10V RDS(ON) : 0.92 Low Gate Charge (Typ 29nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 Application:LED,Charger,PC Power 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Descr
Otros transistores... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 7N60 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
