SWWF7N90D Todos los transistores

 

SWWF7N90D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWWF7N90D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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SWWF7N90D datasheet

 ..1. Size:750K  samwin
 swwf7n90d swmn7n90d.pdf pdf_icon

SWWF7N90D

SW7N90D N-channel Enhanced mode TO-220WF/TO-220SF MOSFET Features BVDSS 900V TO-220WF TO-220SF ID 7A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.7 )@VGS=10V RDS(ON) 1.7 Low Gate Charge (Typ 42nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 3 3 Application UPS, LED, SMPS 1. Gate 2. Drain 3. Source General Descript

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